4A, 650V N-Channel Verbeterde Veld Effect Buis

Beschrijving.

SVF4N65RD/M/MJ/F/T N-Channel Verbeterde High Voltage Power MOS Veld Effect Transistor de SVF4N65RD/M/MJ/F/T N-channel verbeterde high-voltage power MOS Fet zijn vervaardigd met F-Mobiele planar high-voltage VDMOS proces technologie. De geavanceerde proces en mobiele structuur bieden lage weerstand, superieure switching prestaties, en hoge De geavanceerde proces en mobiele structuur enable lage weerstand, superieure switching prestaties en hoge avalanche afbraak tolerantie.

Het product kan wijd in AC-DC schakelende voeding, DC-DC power converter, hoogspanning H-brug PWM motor drive.

 

Kenmerken

4A, 650V, RDS(on) (typische) = 2.3 @ VGS = 10V

Low poort lading

Lage reverse transfer capaciteit

Snelle schakelsnelheid

Verbeterde dv/dt vermogen